GaN, InN, AlN und verwandte Systeme spielen in den letzen beiden Jahrzehnten die Hauptrolle bei den Verbindungshalbleitern. Beeindruckende und erfolgreiche Anwendungen der GaN-basierten Lichterzeugung sowie Laser mit herausragenden Eigenschaften in Lichtintensität und bei kurzwelligen Schreib- Lesevorgängen sind das Ergebnis. Unser Ziel ist es, neue Eigenschaften der Guppe III-N Materialklasse durch Dotierung, Grenzflächenphänomene, niederdimensionale Nanostrukturen zu untersuchen um dadurch auf dem Weg einer wahrhaft revolutionären Zukunfstechnologie ein grundsätzliches Verständnis der zugrundeliegenden mikroskopischen Prozesse zu erlangen. Mit dem in unserer Arbeitsgruppe vorhandenen Know-How und unserer experimentellen Ausstattung können wir state-of-the-art GaN basierte Heterostrukturen und Nanostrukturen mit Molekularstrahlepitaxie sowohl im top-down als auch im bottom-up Ansatz herstellen und charakterisieren. Zur Zeit ist unsere Forschungsaktivität auf magnetische Epitaxieschichten, Quantentopfstrukturen für Energiewandlung und Sensorik Anwendungen sowie auf Nanodrähte ausgerichtet.